p-i-n-диод эквивалентная схема

 

 

 

 

Рис. 4.7: Эквивалентная схема закрытого pin-диода. 4) Активное сопротивление закрытого диода r-. При обратном и нулевом смещении диод закрыт, сопротивление i-слоя весьма велико — до десятков килоом на СВЧ и им можно пренебречь. Полупроводниковые диоды. Типы диодов:диоды бывают: - электровакуумные (кенотроны), - газонаполненные (газотроны, игнитроны, стабилитроны), - полупроводниковы е. В настоящее время в подавляющем большинстве случаев применяются полупроводниковые диоды. Эквивалентные схемы pin-диода при прямом и обрат-. ном смещении приведены соответственно на рис.2а,б. Здесь RS — прямое сопротивление потерь, которое по определению представляет собой последовательное. PIN-диод — разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной (p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник (i-область). p и n области как правило легируются сильно Эквивалентная схема диодаприведена на рис. 3.4. Рис. 3.4. Приведенное выше выражение (1) достаточно точно описывает вольт - амперную хар - ку диода в ее правой полуплоскости (прямая ветвь). Рис. 1. Структура pin-диода.

Широкая нелегированная i-область делает pin- диод плохим выпрямителем, но позволяет исРис. 3. Принципиальная схема модели П-образного аттенюатора с использованием pin-диодов MMBV3401LT1G. ВАХ и обозначение туннельного диода: а принципиальная схема б эквивалентная схема туннельного диода. Это позволяет использовать такой диод в усилителях и гене-раторах электрических колебаний в диапазоне СВЧ, а также в им-пульсных устройствах.

1 эквивалентные схемы полупроводниковых диодов. Эквивалентная схема (ЭС) элемента ИС представляет собой совокупность определенным образом соединенных резисторов, конденсаторов, индуктивностей, источников тока и напряжения 1. Эквивалентная схема диода. Взяв за основу эквивалентную схему биполярного транзистора, предложенную Буфуа и Спарксом [2], преобразуем ее в эквивалентную схему полупроводникового диода (рис.1). Следовательно, p-n переход обладает вентильными свойствами. Полупроводниковый диод.По существу, происходит рассасывание зарядов на границе p-n-перехода (т. е. разряд эквивалентной емкости).Схемы включения. Торцевые слои диода ме-таллизируют и используют в качестве выводов. Два перехода p-i и n-i при при-ложении обратного напряжения заперты.Рис.1. Эквивалентная схема PIN-диода. В расчетах радиотехнических схем диод приходится представлять в виде эквивалентной схемы, состоящей из элементарных элементов R, C, L, а при необходимости источников тока и напряжения. Так как он структуры N-P-N, следовательно, его можно схемотехнически заменить вот на такую диодную схему: Вспоминаем распиновку нашего транзистора: Как мы помним, диод пропускает постоянный ток только в одном направлении. На рис. 4.38 показана эквивалентная схема двухканального переключателя с последовательным включением p-i-n диодов. При подаче прямого смещения на один диод и обратного на другой входная линия оказывается подключенной к выходу с открытым диодом. Эквивалентные схемы p-i-n-диодов (корпусного и бескорпусного) имеют вид в соответствии с рисунком 1.24. На этой схеме С емкость p-i-n-структуры, rs сопротивление потерь в сильнолегированных областях, омических контактах и выводах диода, L PIN-диод — разновидность диода, в котором между областями электронной (n) и дырочной ( p) проводимости находится собственный (нелегированный, англ. intrinsic) полупроводник ( i-область).

p и n области как правило легируются сильно Для мощных сигналов применяются схемы с параллельным включением диода в линию или смешанные схемы (рис. 3.1-21).Рис. 3.1-22. Широкополосные p-i-n-диодные коммутаторы. Рис. 1. Эквивалентная схема бескорпусного p-i-n диода на СВЧ.Одноступенчатый отражательный фазовращатель. На рис. 2 представлена эквивалентная схема отражательного фазовращателя на p-i-n-диоде. Рис. 5.11 Эквивалентная электрическая схема диода.Рис. 5.12 Схема однополупериодного выпрямителя. Трансформатор служит для преобразования величины напряжения, т.е. для получения заданного напряжения на выходе выпрямителя. в) эквивалентная схема отрицательного смещенного перехода определяется емкостью обедненного слоя.8.6. конструкции светоизлучающих диодов Для оптической связи. 8.7. высокочастотные особенности. Наибольшее распространение получили переключательные диоды со структурой p-i-n рис. 1.24.На рис. 1.25 показаны эквивалентные схемы pin-диода на высоких частотах при прямом (рис.1.25, а) и обратном (рис. 1.25,б) смещениях. Эквивалентная схема диода для малого сигнала имеет следующий вид и в области высоких частот имеет следующий вид: На этой схеме Эквивалентная схема диода , представленная на рис. 2.17, а, дополнена резисторами: RQ, учитывающим объемное омическое сопротивление полупроводника, и Ry, учитывающим утечку по поверхности диода. На электрических схемах диод имеет следующее обозначениеДля проведения расчетов электрических цепей, в которых присутствуют полупроводники, нелинейную часть характеристики заменяют эквивалентными линейными элементами и ведут расчет. В этом случае нелинейные параметры эквивалентной схемы диода заменяются линейными параметрами, соответствующими заданному режиму покоя [17]. Рис. 1.1 .Общая эквивалентная схема светодиода для переменного тока. Высокочастотные и СВЧ p-i-n диоды. Владимир Резников, Леонид Губырин.При обратном смещении эквивалентная схема pin-диода представляется в виде рис. 1, в, где rобр — сопротивление i-базы в немодулированном состоянии, равное. Эквивалентная схема p-i-n диода. Мам и бабушек часто задаривают рукодельными подарками. И ведь не надоедает их принимать от любимых деток! На эквивалентной схеме rp, rn - сопротивление толщи полупроводника Lк - индуктивность корпуса.Исследуемый в работе модулятор конструктивно представляет собой отрезок волноводной линии, в которую вмонтирован p-i-n-диод. эквивалентная схема диода. Interpretation Translation. эквивалентная схема диода. diode circuit. Русско-английский словарь по вычислительной технике и программированию . 30. pin диоды. Эквивалентная схема. Области применения и характеристики.n - показатель, зависит от вида распределения примисей вблизи p-n перехода. Эквивалентная схема диода: сопротивление потерь. При обратном смещении эквивалентная схема pin-диода представляется в виде рис. 1, в, где rобр — сопротивление i-базы в немодулированном состоянии, равное. Эквивалентная схема диода. С учетом полученных дифференциальных параметров можно построить эквивалентную малосигнальную схему диода для низких частот (рис. 1.17а, б, в). В этом случаеТогда эквивалентная схема диода может быть представлена в виде рис.1.17в. 4.1.4. Эквивалентная схема диода. С учетом полученных дифференциальных параметров можно построить эквивалентную малосигнальную схему диода для низких частот (рис. 4.3а, б, в). В этом случае наряду с уже описанными элементами - дифференциальным сопротивлением Измерение параметров диодов Эквивалентная схема полупроводникового диода (рис. 1) состоит из идеального диода, изображенного в виде нелинейного источника тока I(V), емкости p-n-перехода С и объемного сопротивления RS. PIN диод представляет собой быстродействующий переключающий диод с низкой емкостью. Не путайте переключающий PIN диод с PIN фотодиодом.Резонансный контур на принципиальной схеме, изображенной на рисунке выше, представляет собой эквивалентную схему секции Полная эквивалентная схема полупро- а) R0R. пр. водникового диода показана на рисунке 6Cб. Рисунок 6 Эквивалентные схемы. полупроводникового диода. тивность выводов L. На рисунке 6, г, д представлены упрощенные эквивалентные. Электрическая принципиальная схема фазовращателя (а), эквивалентные схемы p-i-n диода в открытом (б) и закрытом (в) состояниях. Рассмотрим различные эквивалентные схемы замещения диода и проанализируем возможность их использования. Наиболее часто [20] при анализе электрофизических свойств диодов с p D,pin [1.8]: Указанное свойство позволяет применять pin диод на частотах f >> 1/ в качестве сопротивления переменному току, управляемого постоянным током. На рис. 1.22 представлены принципиальная и эквивалентная схемы простого переменного делите ля напряжения на pin Рис. 1. Эквивалентная схема бескорпусного p-i-n диода на СВЧ.Одноступенчатый отражательный фазовращатель. На рис. 2 представлена эквивалентная схема отражательного фазовращателя на p-i-n-диоде. В устройствах, работающих в диапазоне СВЧ, применяются коммутаторы, реализованные на p-i-n диодах (Рисунок 2.10).При обратном смещении эквивалентная схема pin-диода представляется в виде рисунка 2.12 в, где R1(rобр) - сопротивление i-базы в Рис. 1. Эквивалентная схема бескорпусного p-i-n диода на СВЧ.Одноступенчатый отражательный фазовращатель. На рис. 2 представлена эквивалентная схема отражательного фазовращателя на p-i-n-диоде. В режиме прямого смещения эквивалентная схема бескорпусного p-i-n-диода в соответствии с рисунком 1.19 представляет собой активное сопротивление r или проводимость g. Рис. 1 - Эквивалентные схемы конструкций pin-диодов. обозначение. Обозначения условные графические в схемах. l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP. Диод теплоэлектрический. Рис. 1. Эквивалентная схема бескорпусного p-i-n диода на СВЧ.Одноступенчатый отражательный фазовращатель. На рис. 2 представлена эквивалентная схема отражательного фазовращателя на p-i-n-диоде. На рис 1.3 представлены эквивалентные схемы диодов, используемых в качестве переключателей: диода с p-n переходом или переходом Шоттки (а) и диода с p-i-n-структурой (б). Iдиф 0 диффузионный ток при отсутствии внешнего напряжения. Учитывая, что I-p-n I0Iдр после подстановки в выражение I-p-n Iдиф-Iдр получим следующую формулуЭквивалентная электрическая схема полупроводниковых диодов. Эквивалентной схемой диода по постоянному току является резистор с сопротивлением, равным статическому сопротивлению диода. При работе по переменному току в режиме малого сигнала Принципиальная и эквивалентная схемы ограничителя на Шоттки и PIN диодах. Поскольку для эффективного выполнения своей функции ограничитель должен устанавливаться перед всеми усилительными каскадами В расчетах радиотехнических схем диод приходится представлять в виде эквивалентной схемы, состоящей из элементарных элементов R, C, L, а при необходимости источников тока и напряжения.

Схожие по теме записи: